•   晶振电路原理介绍_信息与通信_工程科技_专业资料。晶体振荡器, 简称晶振。 在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的 二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振, 较高的频率是并联谐振。 由于晶体

      晶体振荡器, 简称晶振。 在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的 二端网络,电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振, 较高的频率是并联谐振。 由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近, 在这个极 窄的频率范围内, 晶振等效为一个电感, 所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成 并联谐振电路。 这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路, 由于 晶振等效为电感的频率范围很窄, 所以即使其他元件的参数变化很大, 这个振荡器的频率也 不会有很大的变化。 晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可 以得到晶振标称的谐振频率。 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器 (注意是放大器不是反相器) 的两端接入晶 振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容 量值就应该等于负载电容,请注意一般 IC 的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。 一般的晶振的负载电容为 15p 或 12.5p ,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两 个 22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。 晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振(谐振)的英文 名称不同,无源晶振为 crystal(晶体),而有源晶振则叫做 oscillator(振荡器)。无源晶 振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并 不准确;有源晶振是一个完整的谐振振荡器。 谐振振荡器包括石英(或其晶体材料)晶体谐振器,陶瓷谐振器,LC 谐振器等。 晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。 石英晶片所以能做振荡电路(谐振)是基于它的压电效应,从物理学中知道,若在晶片 的两个极板间加一电场,会使晶体产生机械变形;反之,若在极板间施加机械力,又会在相 应的方向上产生电场,这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压,就会产生机 械变形振动,同时机械变形振动又会产生交变电场。一般来说,这种机械振动的振幅是比较 小的,其振动频率则是很稳定的。但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(决定于晶片 的尺寸)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为压电谐振,因此石英晶体又称 为石英晶体谐振器。 其特点是频率稳定度很高。 石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。 石英晶体振荡器 是利用石英晶体的压电效应来起振,而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置 IC 来共同作 用来工作的。 振荡器直接应用于电路中, 谐振器工作时一般需要提供 3.3V 电压来维持工作。 振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为:谐振电阻(RR),谐振器没有电阻要求。RR 的大小直接影响电路的性能,也是各商家竞争的一个重要参数。 概述 微控制器的时钟源可以分为两类: 基于机械谐振器件的时钟源, 如晶振、 陶瓷谐振槽路; 基于相移电路的时钟源,如:RC (电阻、电容)振荡器。硅振荡器通常是完全集成的 RC 振 荡器,为了提高稳定性,包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。图 1 给出了两种 时钟源。图 1 给出了两个分立的振荡器电路,其中图 1a 为皮尔斯振荡器配置,用于机械式 谐振器件,如晶振和陶瓷谐振槽路。图 1b 为简单的 RC 反馈振荡器。 机械式谐振器与 RC 振荡器的主要区别 基于晶振与陶瓷谐振槽路(机械式)的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温 度系数。相对而言,RC 振荡器能够快速启动,成本也比较低,但通常在整个温度和工作电 源电压范围内精度较差, 会在标称输出频率的 5%至 50%范围内变化。 1 所示的电路能产 图 生可靠的时钟信号, 但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。 需认 真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。 在使用时, 陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必 须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高 Q 值的晶振对放大器的选择并不敏感,但在过驱 动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)。影响振荡器工作的环境因素有:电磁干扰(EMI)、 机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化,增加不稳定性,并且在有 些情况下,还会造成振荡器停振。 振荡器模块 上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。 这些模块自带振荡器、 提供低阻方波 输出,并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成硅振荡器。晶 振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立 RC 振荡器高,多数情况下能 够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。 功耗 选择振荡器时还需要考虑功耗。 分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电 路内部的电容值所决定。CMOS 放大器功耗与工作频率成正比,可以表示为功率耗散电容 值。比如,HC04 反相器门电路的功率耗散电容值是 90pF。在 4MHz、5V 电源下工作时, 相当于 1.8mA 的电源电流。再加上 20pF 的晶振负载电容,整个电源电流为 2.2mA。 陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容,相应地也需要更多的电流。 相比之下,晶振模块一般需要电源电流为 10mA 至 60mA。 硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能,范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可 编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器,如 MAX7375,工作在 4MHz 时只需不到 2 mA 的电流。 结论 在特定的微控制器应用中, 选择最佳的时钟源需要综合考虑以下一些因素: 精度、 成本、 功耗以及环境需求。下表给出了几种常用的振荡器类型,并分析了各自的优缺点。 晶振电路的作用 电容大小没有固定值。一般二三十 p。晶振 电容 晶振是给单片机提供工作信号脉冲的。这个脉冲 晶振 就是单片机的工作速度。 比如 12M 晶振。 单片机工作速度就是每秒 12M。 和电脑的 CPU 概念一样。当然。单片机的工作频率是有范围的。不能太大。一般 24M 就不上去了。不然 不稳定。 接地的话数字电路弄的来乱一点也无所谓。 看板子上有没有模拟电路。 接地方式也是不 固定的。一般串联式接地。从小信号到大信号依次接。然后小信号连到接地来削减偕波对电 路的稳定性的影响,所以晶振所配的电容在10pf-50pf 之间都可以的,没有什么计算公式。 但是主流是接入两个33pf 的瓷片电容,所以还是随主流。 晶振电路的原理 晶振是晶体振荡器 晶体振荡器的简称, 在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻 电阻并联再串联一个 晶体振荡器 电阻 电容的二端网络, 电工学上这个网络有两个谐振点, 以频率的高低分其中较低的频率是串联 谐振,较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在 这个极窄的频率范围内, 晶振等效为一个电感 所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就 电感, 电感 会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电 路,由于晶振等效为电感的频率范围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器的 频率也不会有很大的变化。 晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可 以得到晶振标称的谐振频率。 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶 振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容 量值就应该等于负载电容,请注意一般 IC 的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。 一般的晶振的负载电容为15p 或12.5p ,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两 个22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。 晶振电路中常见问题 晶振电路中如何选择电容 C1,C2? (1):因为每一种晶振都有各自的特性, 所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器 件。 (2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。C 值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增 加起振时间。 (3):应使 C2值大于 C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。 在石英晶体谐振器 陶瓷 谐振器和陶瓷 需要注意负载电容的选择。 不同厂家生产的 谐振器 陶瓷谐振器的应用中, 石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和品质都存在较大差异, 在选用, 要了解该型号振荡器 的关键指标,如等效电阻,厂家建议负载电容,频率偏差等。在实际电路中,也可以通过示 示 波器观察振荡波形来判断振荡器是否工作在最佳状态。示波器在观察振荡波形时,观察 波器 OSCO 管脚(Oscillator output),应选择100MHz 带宽以上的示波器探头, 这种探头的输 入阻抗高,容抗小,对振荡波形相对影响小。(由于探头上一般存在10~20pF 的电容,所 以观测时,适当减小在 OSCO 管脚的电容可以获得更接近实际的振荡波形)。工作良好的振 荡波形应该是一个漂亮的正弦波,峰峰值应该大于电源 电源电压的70%。若峰峰值小于70%, 电源 可适当减小 OSCI 及 OSCO 管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值接近电源电压且振荡 波形发生畸变,则可适当增加负载电容。 用示波器检测 OSCI(Oscillator input)管脚,容易导致振荡器停振,原因是: 部分的探头阻抗小不可以直接测试,可以用串电容的方法来进行测试。如常用的4MHz 石英晶体谐振器,通常厂家建议的外接负载电容为10~30pF 左右。若取中心值15pF,则 C1,C2各取30pF 可得到其串联等效电容值15pF。同时考虑到还另外存在的电路板分布电 容,芯片管脚电容,晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实际配置 C1,C2时,可各 取20~15pF 左右。并且 C1,C2使用瓷片电容为佳。 问:如何判断电路中晶振是否被过分驱动? 答:电阻 RS 常用来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电 镀,这将引起频率的上升。可用一台示波器检测 OSC 输出脚,如果检测一非常清晰的正弦 波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动;相反,如果正 弦波形的波峰,波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动。这时就需要用电 阻 RS 来防止晶振被过分驱动。 判断电阻 RS 值大小的最简单的方法就是串联一个5k 或10k 的微调电阻,从0开始慢慢调高,一直到正弦波不再被削平为止。通过此办法就可以找到最 接近的电阻 RS 值。

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    2019-10-07 06:59
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